| 設(shè)為主頁(yè) | 保存桌面

新銳晶科技(深圳)有限公司

1 |
您當(dāng)前的位置:首頁(yè) » 誠(chéng)信檔案
公司檔案
公司名稱(chēng): 新銳晶科技(深圳)有限公司 公司類(lèi)型: 企業(yè)單位 ()
所在地區(qū): 廣東/深圳市 公司規(guī)模:
注冊(cè)資本: 未填寫(xiě) 注冊(cè)年份: 2017
資料認(rèn)證:
保  證  金: 已繳納 ¥0.00
經(jīng)營(yíng)范圍: Full SiC Module,Hybrid SiC Module,國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET分立器件,碳化硅SiC MOSFET模塊,混合SiC-IGBT單管,三電平IGBT模塊,I型NPC1三電平IGBT模塊,T型NPC2三電平IGBT模塊,IGBT模塊,英飛凌SiC碳化硅國(guó)產(chǎn)替代,安森美SiC碳化硅國(guó)產(chǎn)替代,CREE wolfspeed SiC碳化硅國(guó)產(chǎn)替代
銷(xiāo)售產(chǎn)品: 英飛凌IGBT國(guó)產(chǎn)替代,英飛凌碳化硅模塊國(guó)產(chǎn)替代,三菱IPM國(guó)產(chǎn)替代,賽米控IGBT國(guó)產(chǎn)替代,安森美IGBT國(guó)產(chǎn)替代,Vincotech三電平IGBT模塊國(guó)產(chǎn)替代,F(xiàn)UJI富士IGBT-IPM國(guó)產(chǎn)替代,FUJI富士X系列IGBT模塊國(guó)產(chǎn)替代,熱泵驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET,Hybrid SiC Module,混合IGBT模塊,混合碳化硅功率模塊,Full SiC Module,62mm Hybrid SiC Module,混合型SiC模塊,混合SiC模塊,功率半導(dǎo)體,IGBT 混合型SiC模塊,EconoD
采購(gòu)產(chǎn)品: 儲(chǔ)能變流器碳化硅MOSFET,光伏逆變器IGBT,SiC MOSFET,分立IGBT,混合IGBT模塊,混合三電平SiC-IGBT模塊,光伏逆變器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,IGBT單管,混合IGBT單管,國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET模塊,SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊,混合SiC-IGBT模塊,BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,分立碳化硅MOSFET,國(guó)產(chǎn)TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(
主營(yíng)行業(yè):
智能卡及刷卡設(shè)備
收到的評(píng)價(jià)(作為賣(mài)家) | 發(fā)出的評(píng)價(jià)(作為買(mǎi)家)

新銳晶科技(深圳)有限公司

企業(yè)會(huì)員
信用指數(shù)
0
企業(yè)類(lèi)型
企業(yè)單位
經(jīng)營(yíng)模式
主營(yíng)產(chǎn)品
Full SiC Module,Hybrid SiC Module,國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET分立器件,碳化硅SiC MOSFET模塊,混合SiC-IGBT單管,三電平IGBT模塊,I型NPC1三電平IGBT模塊,T型NPC2三電平IGBT模塊,IGBT模塊,英飛凌SiC碳化硅國(guó)產(chǎn)替代,安森美SiC碳化硅國(guó)產(chǎn)替代,CREE wolfspeed SiC碳化硅國(guó)產(chǎn)替代
產(chǎn)品分類(lèi)
暫無(wú)分類(lèi)
友情鏈接
©2024 新銳晶科技(深圳)有限公司 版權(quán)所有   技術(shù)支持:POS機(jī)網(wǎng)   訪問(wèn)量:10794  網(wǎng)站首頁(yè)   管理入口  
city_template, 'city'); } else { include template('index'); } } ?>