基本™（BASiC Semiconductor）PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊-工業(yè)級(jí)全碳化硅功率模塊-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
適用于電動(dòng)垂直起降飛行器eVTOL（electric Vertical Take-off and Landing，即電動(dòng)垂直起降飛行器）SiC碳化硅MOSFET功率模塊，飛行汽車(eVTOL)汽車級(jí)全碳化硅功率模塊，eVTOL電機(jī)驅(qū)動(dòng)碳化硅功率模塊-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
基本™（BASiC Semiconductor）SOT227碳化硅MOSFET模塊B2M012120N
適用于液冷大型儲(chǔ)能集中式PCS的全碳化硅MOSFET功率模塊-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
適用于液冷充電樁電源的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
適用于三相三電平維也納PFC的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
 
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功...[詳細(xì)介紹]